2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[14p-1C-1~16] 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

2015年9月14日(月) 13:15 〜 17:30 1C (135)

座長:中村 友二(富士通研),筑根 敦弘(大陽日酸)

16:15 〜 16:30

[14p-1C-12] 水素ラジカルによるクロロシラン系ガス還元プロセスの熱力学的考察

〇伊高 健治1、角谷 正友2、橋本 拓也3 (1.弘前大学、2.物材機構、3.日大)

キーワード:水素ラジカル、ソーラーグレードシリコン、還元反応

シリコン太陽電池の原料である高純度シリコンはシーメンス法によって製造されるが、水素ラジカルによって収率を向上させることができる可能性がある。水素ラジカルという有限のライフタイムをもった種について、熱力学計算による反応の評価が可能であるかどうかを検討した結果について報告する