[14p-2H-1~15] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[14p-2H-2] SrIrO₃-SrRuO₃における界面誘起トポロジカルホール効果

〇松野 丈夫¹、小川 直毅¹、川﨑 雅司^1,2、十倉 好紀^1,2 (1.理研CEMS、2.東大工)

キーワード：スピン－軌道相互作用、スキルミオン、酸化物界面

界面での反転対称性の破れによるDzyaloshinskii-Moriya（DM）相互作用に着目し、強いスピン－軌道相互作用を持つSrIrO₃（2 uc）と強磁性体SrRuO₃（m uc, m = 4–7）との界面を作製した。強磁性層の厚みmに対して減少するトポロジカルホール効果が観測された。界面にのみ存在するDM相互作用とSrRuO₃の強磁性相互作用との競合により10–20 nm程度のスキルミオンが生成していると解釈される。これらは界面を用いてスキルミオンを生成する指導原理を与える。