[14p-2W-1~10] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[14p-2W-1] デジタル埋め込み構造におけるInAs量子ドット発光の温度依存性

〇赤羽 浩一¹、梅沢 俊匡¹、松本 敦¹、山本 直克¹ (1.情通機構)

キーワード：量子ドット、超格子、デジタル埋め込み

これまで我々はInP基板上のInAs量子ドット形成の際、量子ドットの埋め込み層をInGaAlAsからInGaAs/InAlAs超格子に変更することで発光エネルギー制御を簡便にする方法を提案した（デジタル埋め込み法）[1]。この中で、超格子の周期を変化させることにより発光波長や発光寿命が変化する現象が見られることを報告してきた[2]。今回我々はこの構造におけるPLスペクトルの温度依存性を評価する測定を行ったのでこれを報告する。