[14p-PB2-1~21] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14p-PB2-1] InAs系MSM–PDにおける光利得の偏光依存性

〇佐藤 宇人¹、西尾 結¹、平山 尚美¹、飯田 努¹、高梨 良文¹ (1.東理大院)

キーワード：MSM-PD、InAs

通信用OEICへの応用を狙い、HEMTと同一の層構造を有するMSM-PDを試作した。本デバイスは光吸収層が極めて薄いため、裏面より光を照射すると、ほとんどの光は電極まで到達する。これに加え、MSM-PDでは周期的なくし型電極が用いられており、本デバイスではSchottky Emission機構に基づく光電流と、表面プラズモンに起因する光吸収による光電流が同時に発生すると考えられる。本報告では、試作したMSM-PDでこれらの現象が起きていることを実証する。