[14p-PB6-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[14p-PB6-11] 酸化膜形成プロセスの異なるSiC MOSFETへのゲートバイアス印加を伴うガンマ線照射効果

〇(M1)村田 航一^1,2、三友 啓^1,2、松田 拓磨^1,2、横関 貴史^1,2、牧野 高紘²、武山 昭憲²、小野田 忍²、大久保 秀一³、田中 雄季³、神取 幹郎³、吉江 徹³、大島 武²、土方 泰斗¹ (1.埼玉大院理工研、2.日本原子力機構、3.サンケン電気)

キーワード：SiC、MOSFET、ガンマ線

前回，SiC MOSFETのゲートに対し，正，負のバイアスを印加した状態でガンマ線照射を行いV_thを調べ，正のバイアスにより酸化膜界面付近における正孔トラップの増加がSiC MOSFETのV_thシフトを招いていることを示唆する結果を報告した。前回の実験ではゲート酸化膜形成（Dry酸化）後に100%N₂O処理を行ったサンプルを使用していたが、今回はN₂O処理がガンマ線照射効果に及ぼす影響を調べるため10%N₂O処理により作製したサンプルのバイアス下でのガンマ線照射を行った。