PDF ダウンロード スケジュール 19 いいね! 2 16:00 〜 18:00 [14p-PB6-7] 4H-SiC MISFETsのためのAl2O3,Al6Si2O13ゲート絶縁膜の研究 〇赤瀬 光1、石川 誠治2、前田 知徳2、瀬崎 洋2、Milantha de Silva1、長妻 宏都1、吉川 公麿1、黒木 伸一郎1 (1.広大ナノデバイス、2.フェニテック) キーワード:SiC、Al2O3