[15a-1E-1~10] 3.13 半導体光デバイス

[15a-1E-2] バイオテンプレート極限加工によるSi_1-xGe_xナノディスクの作製と特性評価

〇藤井 拓也^1,2、澤野 憲太郎³、寒川 誠二¹ (1.東北大流体研、2.本田技研、3.東京都市大)

キーワード：量子ドット、SiGe、太陽電池

量子ドット層にフレキシブルにバンドギャップ制御可能なSi_1-xGe_x、障壁層にa-Siを用いた 量子ドット太陽電池の実現を目指し、バイオテンプレート＋中性粒子ビームエッチングによる高密度Si_1-xGe_xナノディスク作製に取り組んだ。その結果、直径が約10nm、高さ100nmの高密度Si_1-xGe_x/a-Siナノディスクの作製に成功した。