[15a-1E-1~10] 3.13 半導体光デバイス

[15a-1E-5] APDにおける過渡的な暗計数の時間・温度依存性

〇秋葉 誠¹、辻野 賢治² (1.情通機構、2.女子医大)

キーワード：アバランシェ　フォトダイオード、暗計数、高電界強度

超低暗計数リニアーモードSi APDにおいて測定された、時間に反比例して減少し、温度低下とともに増大する過渡的暗計数に関し、理論的な考察行った。その結果、これらの特性は、電界強度が変化する増倍領域内のトラップから放出される電子に対し、量子論的フォノン・アシステッド・トンネルモデルを適用することで説明できることが分かった。この理論は時間のべき乗に反比例して減少するアフターパルスにも適用できることも分かった。