2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

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[15a-2Q-1~12] 8.4 プラズマエッチング

2015年9月15日(火) 09:00 〜 12:15 2Q (231-1)

座長:辰巳 哲也(ソニー),石川 健治(名大)

12:00 〜 12:15

[15a-2Q-12] ArプラズマがSi,Al2O3基板に及ぼす影響

〇關 雅志1、田沼 千秋2 (1.東芝テック株式会社、2.法政大学)

キーワード:Arプラズマ

Arプラズマは、成膜プロセス技術、MEMSプロセス技術において基板表面の改質・洗浄、フォトマスクの除去、微細加工などに用いられている。Arプラズマの照射によってSi基板表面の結晶構造が乱れ、Ar原子が残留することが報告されている。Ar原子がSi基板表面に残留すると、基板の反り、フォトマスクの発泡、薄膜のピンホールが発生する可能性があり、MEMSプロセスで問題となる。これまでの研究で、Si基板でのAr原子の離脱条件を確認したが、Ar原子がSi基板表面に残留する原因は究明できていない。本報告では、格子間隔が異なるSiとAl2O3基板にArプラズマ処理を行い、基板表面に残留したAr原子が基板に与える影響と、Ar原子が基板表面に残留する原因を説明する。