[15p-1A-1~14] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15p-1A-1] [講演奨励賞受賞記念講演] 超高耐圧SiCパワーデバイスを目指した衝突イオン化係数の決定

〇丹羽 弘樹¹、須田 淳¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工)

キーワード：炭化ケイ素、衝突イオン化係数、絶縁破壊電界

衝突イオン化係数はパワーデバイスの絶縁破壊電圧などを決定する重要な物性値であるが、これまでのSiCにおける値は報告間の差異が大きく、正確な耐圧設計の妨げとなっていた。そこで本研究では様々な耐圧維持層構造を有するフォトダイオードを用いることで、広い電界の範囲における正確な測定を行った。本研究では特に耐圧10kV以上の超高耐圧デバイスに設計に重要な、1MV/cm程度の低電界における値の決定に成功した。