[15p-1B-1~18] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [15p-1B-3] Snドープβ-Ga₂O₃(\overline{2}01)単結晶のショットキーバリアダイオードの作製

〇(M1)古賀 優太¹、原田 和也¹、花田 賢志¹、大石 敏之¹、嘉数 誠¹ (1.佐賀大院工)

キーワード：酸化ガリウム、ショットキーバリアダイオード

酸化ガリウム(Ga₂O₃)は約4.8 eVの広いバンドギャップを有する半導体で、
次世代のパワーデバイス半導体として期待されている。
今回我々はNiを用いたSnドープ酸化ガリウムの
ショットキーバリアダイオードを作製したので報告する。
電流電圧特性の結果において、順方向では1.5 Vで83.1 A/cm²の電流密度が得られた。
逆方向では4 Vで約1 A/cm²ほど電流が流れていた。