[15p-1D-1~11] 窒化物半導体特異構造の科学　～表面・界面の制御と物理～

[15p-1D-6] GaN系半導体レーザーによる青紫色フェムト秒パルスの発生

〇河野 俊介¹、渡邊 秀輝¹、幸田 倫太郎¹、風田川 統之¹、成井 啓修¹ (1.ソニー)

キーワード：窒化物半導体、超短パルス、モード同期レーザー

GaN系半導体レーザーを利用した青紫色フェムト秒パルス発生について報告する．分散補償光学系を備えた外部共振器を用いることで，モード同期半導体レーザーの発振スペクトルの広帯域化が可能である．講演では，空間光変調器による非線形パルス圧縮器を利用してGaN系モード同期半導体レーザーの出力パルス光を圧縮し，パルス幅140 fs，ピークパワー60 Wの超短パルス光を発生したので，これについて報告する．