[15p-2R-1~22] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[15p-2R-4] 動的な歪み印加によるp型シリコンウェハの異常な電気特性

〇鶴田 一樹¹、美藤 正樹¹、田尻 恭之²、片宗 優貴³、吉武 剛³ (1.九工大工、2.福大理、3.九大総理工)

キーワード：半導体、シリコン、動的応力

半導体における応力を用いた物性操作として、ピエゾ抵抗効果や原子定数の違いを利用した歪みシリコンなどが知られている。この応力は時間に対して大きさが変化しないものであり静的な応力を言える。我々は静的な応力を超音波帯域の周波数で大きさが変化する動的な応力に置き換えることで、キャリア移動度や電気抵抗の向上をめざし実験を実施した。電気抵抗測定では、p型シリコンにおいて静的な応力では見られなかった異常な振る舞いを観測した。