[15p-4C-1~14] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[15p-4C-14] InAlN/AlGaN HFETのパワーデバイスとしての性能予測

〇堤 達哉¹、西野 剛介¹、ジョセフ フリーズマン¹、三好 実人¹、江川 孝志¹ (1.名工大)

キーワード：窒化物半導体、HFET

AlGaNチャネルを有する窒化物系2DEGヘテロ構造は、GaNチャネル構造に比べ高い阻止耐圧を示すことから、将来のパワーデバイス応用が期待できる。我々は、InAlNバリア層を備えたInAlN/AlGaNヘテロ構造について報告をしてきた。今回、InAlN/AlGaN HFETを試作、その評価結果に基づき、理想設計におけるHFETの面積オン抵抗(Ron*A)算出を試みたので報告する。