[15p-4E-1~23] 7.2 電子ビーム応用

[15p-4E-19] GaAs負性電子親和力カソードの活性化過程における放出電子エネルギー分布

〇(M1)光野 圭悟¹、増澤 智昭¹、畑中 義式¹、根尾 陽一郎¹、三村 秀典¹ (1.静岡大)

キーワード：GaAs、フォトカソード、負性電子親和力

前回の報告における、電子放出プロセスにΓ・L点が寄与するという仮定のもと、放出電子のエネルギー分布の観測によりそれらの寄与の検討を行った。 GaAsのNEA光電面形成過程に表れる表面状態に違いにより、分布はある変化を示した。この変化は仮定と一致し、電子放出プロセスにおいて二準位以上の 寄与があることを裏付ける結果となった。