[16a-2F-1~12] 3.14 光制御デバイス・光ファイバー

△ [16a-2F-10] GaInAsP/InP導波路型光アイソレータ用TE-TMモード変換器

〇増山 圭¹、庄司 雄哉²、水本 哲弥¹ (1.東工大院理工、2.東工大量子ナノ)

キーワード：モード変換器、GaInAsP/InP、シングルトレンチ

TMモードで動作する導波路型光アイソレータとTEモードで発振する半導体レーザとの集積化が可能なTE-TMモード変換器の設計製作を行った。光アイソレータを最小化するGaInAsPコア層の高さでモード変換器を設計すると許容製作誤差が極めて小さくなってしまう。GaInAsP層上にInPクラッド層を設けることにより設計誤差に対して従来設計より強い設計を行うことができた。最大のモード変換効率として変換器長が200μmのときに91.6%が得られた。