[16a-2R-1~11] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[16a-2R-5] Photoluminescence properties of N-doped β-FeSi₂ films

〇Kensuke Akiyama^1,2, Ryo Takahashi¹, Yoshihisa Matsumoto¹, Hiroshi Funakubo² (1.Kanagawa Indu. Tech. Cent., 2.Tokyo Inst. Tech.)

Keywords:iron disilicide,photoluminescense,N-dope

シリサイド半導体の一つである鉄シリサイド半導体(b-FeSi₂)は、1.55μm帯域での発光（フォトルミネッセンス(PL)、エレクトロルミネッセンス(EL)）が報告され、その実用化には発光効率の向上が求められている。本発表では、有機金属気相成長(MOCVD)法で合成したβ-FeSi₂において、NをドーピングすることでPL発光の温度消光特性が改善され290KまでPL発光が観察されることを報告する。