2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

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[16a-4C-1~11] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2015年9月16日(水) 09:00 〜 12:00 4C (432)

座長:東脇 正高(NICT)

11:30 〜 11:45

[16a-4C-10] Si基板上AlGaN/GaN HEMT構造の縦方向耐圧のAlN層成長条件依存性

〇伊藤 和宏1、山岡 優也1,2、江川 孝志1、生方 映徳2、田渕 俊也2、松本 功2 (1.名工大、2.大陽日酸)

キーワード：窒化物半導体、MOCVD、結晶成長