[11p-B1-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

[11p-B1-13] [講演奨励賞受賞記念講演] 温度上昇に伴うAlGaN系半導体の支配的な非輻射再結合経路の変化

〇市川 修平¹、船戸 充¹、岩﨑 洋介²、川上 養一¹ (1.京大院工, 2.JFEミネラル株式会社)

キーワード：AlGaN、非輻射再結合、CLマッピング