[11p-B1-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

[11p-B1-4] ハイドライド気相成長におけるSiO₂マスクの品質がGaNの選択横方向成長に及ぼす影響

〇河原 慎¹、山本 健志¹、稲垣 卓志¹、岡田 成仁¹、只友 一行¹、山根 啓輔² (1.山口大理工, 2.豊橋技科大電電)

キーワード：ハイドライド気相成長法、SiO2、GaN