[11p-D1-1~17] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[11p-D1-2] c軸配向結晶性IGZO FETの微細化に伴うフォノン散乱の影響

〇松田 慎平¹、菊地 彫¹、山根 靖正¹、岡崎 豊¹、山﨑 舜平¹ (1.半エネ研)

キーワード：IGZO、電界効果移動度、微細化