[12a-A16-1~11] 3.15 シリコンフォトニクス

[12a-A16-11] 歪SiGe層を用いた空乏化型Si光変調器の検討

〇藤方 潤一¹、野口 将高¹、金 栄現²、高橋 重樹¹、中村 隆宏¹、竹中 充² (1.光電子融合基盤技術研究所, 2.東大)

キーワード：シリコン光変調器、歪SiGe、シリコンフォトニクス