11:30 〜 11:45
△ [12a-B4-10] 超高次非線形誘電率顕微鏡法を用いた交流バイアス印加によるSiC-DMOSFET断面におけるキャリア分布のゲート電圧依存性の解析
キーワード：SiCパワーデバイス、走査型非線形誘電率顕微鏡法、デバイス評価
講演情報
一般セッション(口頭講演)
15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物
[12a-B4-1~10] 15.6 IV族系化合物
2015年3月12日(木) 09:00 〜 11:45 B4 (6B-104)
一般セッション(口頭講演)
15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物
2015年3月12日(木) 09:00 〜 11:45 B4 (6B-104)
11:30 〜 11:45
キーワード：SiCパワーデバイス、走査型非線形誘電率顕微鏡法、デバイス評価