2015年第62回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[12p-A21-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2015年3月12日(木) 14:00 〜 17:30 A21 (6A-213)

14:30 〜 14:45

[12p-A21-3] 酸素雰囲気熱処理プロセスがGaN MOS界面特性に与える影響

〇大平 城二1、千崎 泰1、谷田部 然治1, 2、橋詰 保1, 2 (1.北大量集センター, 2.JST-CREST)

キーワード:窒化ガリウム、熱酸化処理、界面準位