[12p-B1-1~23] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [12p-B1-20] N極性(0001)GaNのMOVPE選択成長における貫通転位密度の低減

〇逢坂 崇¹、谷川 智之^{1, 2}、木村 健司^{1, 2}、正直 花奈子¹、窪谷 茂幸^{1, 2}、片山 竜二^{1, 2}、松岡 隆志^{1, 2}、三宅 秀人³ (1.東北大金研, 2.JST-CREST, 3.三重大院工)

キーワード：選択成長、MOVPE、窒化物半導体