[12p-P12-1~23] 12.4 有機EL・トランジスタ

[12p-P12-20] 強誘電性高分子層の熱処理温度による強誘電体ゲート有機薄膜トランジスタのメモリ特性改善

〇菅野 亮^{1, 2}、関根 智仁^{1, 2}、福田 憲二郎^{1, 2, 3}、熊木 大介^{1, 2}、時任 静士^{1, 2} (1.山形大理工, 2.山形大 ROEL, 3.JST さきがけ)

キーワード：強誘電体ゲート薄膜トランジスタ、強誘電性高分子