[13a-A24-1~13] 13.3 絶縁膜技術

[13a-A24-6] SiC MOSキャパシタのTZDB測定時動画撮影による絨毯爆撃状破壊痕形成メカニズムの解明

〇佐藤 創志¹、廣井 佑紀²、山部 紀久夫²、北畠 真³、遠藤 哲郎^{1, 4, 5}、丹羽 正昭¹ (1.東北大CIES, 2.筑波大院, 3.FUPET, 4.東北大CSIS, 5.東北大院工)

キーワード：SiC、絶縁破壊