[13a-A24-1~13] 13.3 絶縁膜技術

[13a-A24-9] 分子動力学法によるhigh-k/SiO₂界面のダイポール形成シミュレーション（２） －酸素密度緩和モデルで説明できないMgO/SiO₂界面ダイポールの再現－

〇功刀 遼太¹、橋口 誠広¹、志村 昴亮¹、小椋 厚志^{3, 5}、佐藤 真一^{4, 5}、渡邉 孝信^{1, 2, 5} (1.早大理工, 2.早大ナノ機構, 3.明大理工, 4.兵庫県立大, 5.JST-CREST)

キーワード：high-k膜