[13a-A27-1~13] 8.3 プラズマ成膜・表面処理

[13a-A27-3] 高周波マグネトロンスパッタリングにおける基板位置がタングステン薄膜の結晶配向性に及ぼす影響

〇藤原 裕史¹、辻 博士¹、後藤 康仁¹ (1.京大院工)

キーワード：スパッタリング、結晶配向性、基板位置