[13a-A27-1~13] 8.3 プラズマ成膜・表面処理

[13a-A27-9] プラズマ支援反応性スパッタリング法を用いたアモルファスIGZO薄膜の低温形成とその特性評価

節原 裕一¹、中田 慶太郎¹、陶山 悠太郎¹、〇竹中 弘祐¹、内田 儀一郎¹、江部 明憲² (1.阪大接合研, 2.イー・エム・ディー)

キーワード：酸化物半導体