[13p-P17-1~24] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[13p-P17-11] GaNバラクタダイオードの製作

高橋 言緒¹、坂村 祐一¹、長南 紘志¹、木内 真希¹、井手 利英¹、沈 旭強¹、〇清水 三聡¹、板谷 太郎¹、島田 雅夫² (1.産総研, 2.ＲＦデバイステクノロジーズ)

キーワード：窒化ガリウム、可変容量ダイオード