[14a-A29-1~11] 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[14a-A29-4] リン酸溶液中レーザドーピングにおけるGe基板面方位の効果

〇高橋 恒太¹、黒澤 昌志^{1, 2}、池上 浩³、柴山 茂久^{1, 4}、坂下 満男¹、竹内 和歌奈¹、中塚 理¹、財満 鎭明^{1, 5} (1.名大院工, 2.学振特別研究員（PD）, 3.九大院シス情, 4.学振特別研究員（DC）, 5.名大エコトピア)

キーワード：ドーピング、ゲルマニウム