12:00 〜 12:15 [15a-C302-12] ClF3ガスによるSiCウエハのエッチング速度挙動 中込 健1、〇倉島 圭祐1、奥山 将吾1、羽深 等1、高橋 至直2、加藤 智久3 (1.横国大院工、2.関東電化工業、3.産総研)