09:30 〜 11:30 [16a-P4-7] REALD形成 Al2O3/GeO2/p-Ge MOSキャパシターの電気特性に及ぼすゲート電極金属の影響 〇山田 大地1、王谷 洋平1、山本 千綾2、山中 淳二2、佐藤 哲也2、岡本 浩3、福田 幸夫1 (1.諏訪東京理科大学、2.山梨大学、3.弘前大学)