16:00 〜 16:15 [15p-C302-8] レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡によるSiC ウエハ/デバイスの局所特性評価 〇中西 英俊1、西村 辰彦1、北村 藤和1、水端 稔1、酒井 裕司2、川山 巌2、斗内 政吉2 (1.SCREEN、2.阪大レーザー研)