10:15 〜 10:30 [16a-A21-6] Si基板上縦型高出力AlGaN FET実現を目指した導電性AlNバッファ層の形成 〇黒瀬 範子1、青柳 克信1、尾関 宏太2、荒木 努2 (1.立命館大、総研、2.立命館大、理工)