12:00 〜 12:15 [16a-C302-12] 窒化したp型SiC MOSキャパシタにおける反転層の形成 〇(M1)唐本 祐樹1、岡本 大1、原田 信介2、染谷 満2、畠山 哲夫2、小杉 亮治2、岩室 憲幸1、矢野 裕司1 (1.筑波大、2.産総研)