15:30 〜 15:45 △ [15p-B9-10] HfO2/Al2O3/InGaAsゲート構造における移動度の成膜温度およびAl2O3膜厚依存性 〇大澤 一斗1、木瀬 信和1、宮本 恭幸1 (1.東工大)