15:15 〜 15:30 △ [16p-C302-6] 理想SiO2/SiC界面の実現に向けた超高温・低酸素分圧酸化の検討 〇勝 義仁1、辻 英徳1,2、細井 卓治1、志村 考功1、渡部 平司1 (1.阪大院工、2.富士電機)