10:15 〜 10:30 [16a-B10-6] 金属/n-Ge接合へのSixGe1−x−ySny層挿入によるショットキー障壁高さの低減 〇鈴木 陽洋1,2、戸田 祥太1、中塚 理1、坂下 満男1、財満 鎭明1,3 (1.名古屋大院工、2.学振特別研究員、3.名古屋大未来研)