11:00 〜 11:15 [15a-B9-4] HfO2/SiO2/Si(100)構造における内部電位分布、界面ダイポールの定量評価 〇藤村 信幸1、大田 晃生1、池田 弥央1、牧原 克典1、宮崎 誠一1 (1.名大院工)