[13a-A31-1~11] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[13a-A31-1] Ag(100)上におけるバナジウム酸化物薄膜の合成

〇杉崎 裕一¹、本山 寛大¹、枝元 一之¹ (1.立教大理)

キーワード：バナジウム酸化物、薄膜

代表的な強相関電子系金属酸化物であるバナジウム酸化物の内、単結晶の合成例がないVOについて合成を試みた。そのために、Ag(100)上にバナジウム酸化物の合成を行ない、その電子状態観測を行った。
3.7✕10^-9 Torrの酸素雰囲気下でV原子を電子ビーム蒸着し、その後、超高真空下で450℃で30分加熱することで下地の(1✕1)周期と一致したバナジウム酸化物の合成に成功し、この試料に対してX線吸収端近傍微細構造（NEXAFS）と角度分解光電子分光（ARPES）を行った。
NEXAFSの結果は、このバナジウム酸化物が化学量論的にVOと示す結果であった。
ARPESの結果は、VOが金属的化合物であることを示す結果であった。