[13a-A31-1~11] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[13a-A31-7] 酸化タンタル薄膜の微構造と抵抗スイッチング時に生じる伝導度の量子化の関係

〇塩田 忠¹、久保 朋也¹、西山 昭雄¹、櫻井 修¹、篠崎 和夫¹ (1.東工大物質理工)

キーワード：抵抗スイッチング、伝導度の量子化

本研究では，TaO_x薄膜をPt下部電極上にスパッタリング製膜後，400℃〜800℃で熱処理し，Ag又はCu上部電極を用いて抵抗スイッチングとそれに伴う量子化伝導を観測し，TaO_x薄膜の微構造と抵抗スイッチング時に生じる伝導度の量子化の関係について検討した。