[13p-B8-1~10] 古くて新しい点欠陥　～材料を越えた視点から見えてくるもの～

[13p-B8-8] SiCの材料・デバイス特性から見た点欠陥

〇木本 恒暢¹、須田 淳¹ (1.京大工)

キーワード：SiC、点欠陥、キャリア寿命

SiCは次世代のパワー半導体として注目されている。最近、SiCにおけるキャリア寿命制限欠陥が同定され、その密度を意図的に制御することによってキャリア寿命制御も可能となった。本報告では、SiCのパワーデバイス応用を念頭に置いた点欠陥制御について概説する。