[14a-P6-1~20] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14a-P6-15] Si基板上AlGaN/GaN HEMT構造縦方向耐圧におけるSLS層周期数の影響

〇山岡 優哉^1,2、各務 憲²、生方 映徳¹、矢野 良樹¹、田渕 俊也¹、松本 功¹、江川 孝志² (1.大陽日酸、2.名工大)

キーワード：AlGaN/GaN HEMT、Si基板、縦方向耐圧

Si基板上AlGaN/GaN HEMTは低価格な次世代パワーデバイスとして注目されている。我々は、HEMT構造において全体膜厚が一定のもとSLS層の周期数を変化させた場合と初期AlN層の転位密度を低減した場合の縦方向耐圧を調査した。その結果、全体膜厚に対してSLS層膜厚の割合の増加によって縦方向耐圧が増加し、初期AlN層の転位密度の低減によって縦方向耐圧のばらつきが低減することが分かった。