[14a-P6-1~20] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14a-P6-20] 分極接合基板上pチャネルGaN MOS構造のインピーダンス解析

〇(M1)高山 留美¹、星井 拓也¹、中島 昭²、西澤 伸一²、大橋 弘通²、角嶋 邦之¹、若林 整¹、筒井 一生¹ (1.東工大工、2.産総研)

キーワード：AlGaN/GaN、相補型集積回路、PチャネルHFET

GaNウエハ上P/N相補型駆動回路は、システム全体の小型化、高効率化に繋がると期待されている。先行研究でのAlGaN/GaN系の分極接合を用いたp-ch MOSFET素子では、基板バイアスの印加によりしきい値電圧制御だけでなく、ドレイン電流の大きな変化が観測されており、デバイス動作機構が十分に理解されていない。そこで本研究では、分極接合p-ch MOS構造についてインピーダンス測定を行い、等価回路としてY接続回路を採用し素子要素の解析を行った。