[14p-A21-1~13] 窒化物半導体の最前線　－欠陥のない結晶・デバイスを目指して－

[14p-A21-8] GaN系トランジスタにおける界面制御

〇橋詰 保¹ (1.北大量集センター)

キーワード：GaN、interface

近年の結晶成長技術の進展により、低転位密度の基板・エピタキシャル層が実現している。これに伴い、各種接合の電気的特性が格段に向上する傾向が見られ、GaN本来の特性が出現してきていると考えられる。ここでは、GaN自立基板、あるいは自立基板上にエピ成長したGaN層に形成したショットキー接合、pn接合、MOS接合の特性を概観し、GaNトランジスタへの界面制御の可能性を議論する。