[14p-A33-1~15] 機能性原子薄膜材料の新展開－成膜技術－

[14p-A33-7] GaAs{111}A, B表面上でのMoSe₂単層膜成長

〇大竹 晃浩¹、佐久間 芳樹¹ (1.物材機構)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、走査トンネル顕微鏡、分子線エピタキシー

WS₂やMoSe₂をはじめとする第6周期遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)が注目を集めている。本研究では、原子レベルでの層数制御に適した薄膜成長手法である分子線エピタキシー(MBE)法を用いてGaAs{111}表面上にMoSe₂薄膜を成長させ、その成長モードをRHEED、STM、XPSを用いて評価する。