16:15 〜 16:30
△ [14p-A37-12] レーザーアニールによる不純物ドープβ-Ga2O3薄膜の低温固相エピタキシャル結晶化
キーワード:酸化ガリウム、レーザーアニール
β-Ga2O3エピタキシャル薄膜はエレクトロニクスへの広い応用が期待されており、ドナーを用いたキャリア濃度制御の報告もある。結晶成長を制御することにより界面急峻性の改善などデバイスプロセスの進展に寄与することができる。本研究では不純物ドープGa2O3非晶質薄膜のELAによる低温エピタキシャル結晶化を目的とし、レーザー照射条件による結晶性への影響、およびドーパントによる薄膜の構造や導電性への影響について検討した。