[14p-A37-1~17] 6.4 薄膜新材料

△ [14p-A37-15] パルスレーザー液相エピタキシーによる3C-SiCヘテロエピタキシャル成長

〇山王堂 尚輝¹、大住 亜朱香¹、山口 諒¹、丸山 伸伍¹、松本 祐司¹ (1.東北大院工)

キーワード：半導体、SiC、薄膜

SiCは優れた半導体物性を有し，次世代のパワーデバイス材料として注目されている．SiC結晶多形の１つである3C-SiCは，単結晶の育成が困難とされている．一方当研究室では，パルスレーザー堆積法ベースののVapor-Liquid-Solid法であるパルスレーザー液相エピタキシー法により，4H-SiC基板上に高品質な単結晶3C-SiC薄膜の作製に成功している．そこで今回，パルスレーザー液相エピタキシー法により，Al₂O₃基板上で3C-SiCヘテロエピタキシャル成長を試みたので報告する．